Al_2O_3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT

机译：GA-SN-O TFT在AL_2O_3绝缘膜上制备

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絶縁体層としてAl_2O_3膜をミストCVD法（mist CVD)により作製し，Al_2O_3膜の有無によるGa-Sn-O薄膜トランジスタ（GTOTFT)の特性を比較した.結果として，Al_2O_3絶縁膜のないGTOTFTよりも，Al_2O_3絶縁膜上のGTOTFTの方が高い移動度が得られた.これは，GTOTFT特性のさらなる改善の可能性を示唆している.

机译：Al_2O_3薄膜由雾CVD方法（雾CVD）作为绝缘层产生，并且比较了Ga-Sn-O薄膜晶体管（GTOTFT）的特性，由于Al_2O_3膜的存在或不存在。结果，来自GTotft而不Al_2O_3绝缘膜朝向获得Al_2O_3绝缘膜一个迁移率。这表明特性进一步改进可能性。

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来源
《情報ディスプレイ研究会》|2019年|32 p.|共4页
会议地点
作者
服部一輝; 谷野健太; 松田時宜; 川原村敏幸; 劉麗; 木村睦;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类一般性问题;
关键词
ミストCVD法（mist CVD); Al_2O_3; Ga-Sn-0 (GTO); 薄膜トランジスタ（TFT);

机译：雾CVD方法（雾CVD）;AL_2O_3;GA-SN-0（GTO）;薄膜晶体管（TFT）;

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