Stress; Reliability; Optimization; MOSFET; Annealing; Integrated circuits;
机译:等离子体诱导的高k /金属栅与SiO_2 /多栅互补金属氧化物半导体技术可靠性之间的比较
机译:使用超薄高K /金属栅叠层的多晶硅MOSFET的制造和可靠性
机译:先进的高k /金属栅n-FET器件的可靠性
机译:高k /金属栅极技术上显示驱动IC的可靠性特性
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:新型高k栅极介质叠层的统计表征及可靠性建模