MOSFET circuits; Logic gates; Scattering; Strain; Effective mass; MOSFET; Silicon;
机译:具有较高k /金属栅的高迁移率压缩应变Si_(0.6)Ge_(0.5)量子阱p-MOSFET
机译:在绝缘体上锗化硅(SGOI)上制造的应变硅/应变硅锗异质结构p-MOSFET中的空穴迁移率增强
机译:具有较高κLaLuOa栅极介电层的应变SiGe沟道p-MOSFET的迁移率增强和栅极诱导的漏极泄漏分析
机译:CVD-生长的GE /应变GE0.91SN0.09 / GE量子井P-MOSFET记录高迁移率(428cm2 / v-s)
机译:硅(1-x)锗(x)量子阱p-MOSFET的物理,技术和建模
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:具有高迁移率二维空穴气的调制掺杂应变Ge量子阱异质结构中的复杂量子传输