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【24h】

Room temperature CW 1.3 μm single mode lasing of InAs quantum dot micro-disk lasers grown on (001) Si

机译:在(001)Si上生长的InAs量子点微盘激光器的室温CW 1.3μm单模激光

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摘要

Heteroepitaxially grown InAs quantum dot micro-disk lasers were demonstrated on planar Si (001) substrates. Room-temperature continuous-wave lasing 1.3 μm with a threshold pump power of 250 μW was achieved for a 4 μm disk.
机译:异质外延生长的InAs量子点微盘激光器在平面Si(001)衬底上得到证明。对于4μm的磁盘,实现了室温连续波激射1.3μm,阈值泵浦功率为250μW。

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