Ⅲ-Ⅴ semiconductors; core-multishell nanowires; quantum well tubes; MOVPE growth; luminescence;
机译:MOVPE纳米选择性区域生长法生长的Ⅲ族氮化物的纳米点,纳米线和多量子阱的结构和光学性质
机译:GaAs-AlGaAs量子级联结构对子带内太赫兹电致发光注入剂量的影响
机译:MOVPE生长的InGaPN / GaP晶格匹配单量子阱结构的光致发光和激发光光谱
机译:关于GaAs-Algaas Core-Multishell纳米线量子结构的MOVPE生长和发光性能
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:新型二氧化硅纳米线和互连纳米环的生长结构和发光特性
机译:111 A取向压电InGaAs / GaAs / AlGaAs高应变量子阱激光器结构的MOVPE生长和性能