弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICの電源電圧の低電圧化

摘要

MOSFETの弱反転動作を活用した小規模回路を用いたべき乗変換ICの電源電圧を6.3 Vから3.3 Vに低減した。信号電流をバイアス電流とは独立設定できる回路の提案により,乗算回路の最大電圧増幅度の低下を抑えた。べき指数γを0.50から2.0に設定した際の信号ダイナミックレンジを42.7 dB，最大べき指数値γを2.9確保した。