多端子MOSFETによるMOSFET動作特性の間接計測

摘要

本研究では、提案した多端子MOSFETの動作の特徴を生かし、回路動作中のMOSFETの動作特性の間接計測に使えるかどうかの検証を行なった。その結果、従来のMOSFETに対してOutput端子電圧を設け、それらの電圧を計測することで、MOSFETそのものの静特性には影響を与えずにMOSFETの基本特性や温度変化を間接的に計測することが可能であると結論できる。今後は、多端子MOSFETを実際に回路内に搭載し、評価する予定である。