4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性－光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性

摘要

4端子nチャネルMOSFETは，光照射によって光導電効果を生じ，ドレイン電流I{sub}Dおよびチャネル基板間電流I{sub}(CB)が照度E{sub}Lに対して飽和特性を示して増加した．また，I{sub}Dは磁界印加によって減少し，その平行磁気相対感度S{sub}(RD)はドレイン電圧V{sub}Dには依存せず，E{sub}Lに対して飽和特性を示し，磁束密度Bに対して比例する傾向があった．一方，I{sub}(CB)は光照射時に磁界を印加することで減少し，その垂直磁気相対感度S{sub}(RT)はE{sub}Lに月する依存性はなく，光の照射によって減少した．S{sub}(RD)の最大値は，V{sub}D＝0.5V，B＝1.0T，E{sub}L＝56101xの時で，1.7％/Tとなった．本報告では光照射および磁界印加によるI{sub}D，I{sub}(CB)の変化，S{sub}(RD)，S{sub}(RT)の変化について考察を行った．