机译:表面处理对InGaAs(001)和(110)表面上的低温HfO2 ALD的影响
机译:基于T形闸门in inalas / Ingaas INP的Si3N4-PECVD和Al2O3-ALD表面钝化的比较研究
机译:表面电位对铬门控金属-氧化物-硅器件探测的缺陷钝化动力学的影响。
机译:在InGaAs(001)和(110)表面上的表面缺陷钝化以准备后续栅极氧化物ALD
机译:SiGe(001)和(110)表面的清洁,钝化和官能化用于ALD成核的表面
机译:SrTiO3(001)和SrTiO3(110)表面形成的Fe纳米粒子的微观表征
机译:使用ALD-HfO2 /金属栅极集成的InGaAs n-MOS器件,无需表面清洁和界面层钝化