CMOS integrated circuits; Couplings; Density measurement; Impedance matching; Oscillators; Power generation; Power measurement; CMOS 65nm; mm-wave signal source; zero-phase coupled oscillator network;
机译:50 GHz LC交叉耦合振荡器中的低功耗CMOS注入锁定和电流模式逻辑分频器
机译:一个273.5-312-GHz信号源,具有2.3 dBm峰值输出功率的130nm SiGe BICMOS工艺
机译:用于功率放大器驱动器0.35 M SiGe BICMOS工艺中的注射锁定电源振荡器
机译:一个127-140GHz锁定信号源,通过65nm CMOS零相位耦合振荡器网络具有3.5mW峰值输出功率
机译:用于lOT传感器节点的带有CMOS片上天线的无线注入锁定振荡器
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:一个5 GHz E3F2类功率放大器,在65nm CMOS上具有51%的PAE和21dBm的输出功率