Aluminumgalliumnitride; Electronmobility; Galliumnitride; HEMTs; III-Vsemiconductormaterials; Siliconcarbide; Substrates; AlGaN/GaN; Highelectronmobilitytransistors; SiC;
机译:使用反向建模方法全热表征硅,碳化硅和金刚石基板上的AIGAN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:通过氨分子束外延在Si(111)衬底上生长无裂纹,掺杂碳的GaN和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构
机译:生长参数优化和界面处理以增强高应变GalnAs / AllnAs高电子迁移率晶体管结构中的电子迁移率
机译:碳化硅衬底上GaN高电子迁移晶体管结构的生长参数优化
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:碳化硅异质结构高电子迁移率晶体管:建模,材料生长,加工和表征
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。