机译:单栅SOI纳米纳时钟连接晶体管,10nm门长度:设计指南和与传统SOI FinFET的比较
机译:用于低功率应用的等离子掺杂FinFET的栅极感应漏极泄漏特性和阈值电压调制分析
机译:用于低功耗应用的三栅极圆柱和部分圆柱FinFET的建模,设计和性能比较
机译:低功耗应用中SOI FinFET的身体偏置效应:栅极长度依赖性
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:用于低功率应用的三栅极圆柱和部分圆柱形FINFET的建模,设计和性能比较