MMIC; radio astronomy; HEMT; low noise amplifier;
机译:0.1μmInP HEMT和GaAs PHEMT的应力相关氢降解
机译:使用氮载体进行LP-MOCVD生长的W波段应用的0.1- / spl mu / m T-gate无铝InP / InGaAs / InP pHEMT
机译:高功率密度AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT,采用针对Ka频段应用的优化制造工艺
机译:超低功率Q频段LNA,赢入GaAs 0.1-μm的50%带宽流程
机译:使用Gaas pHEmT的宽带混合单端和差分LNa设计以及与内部Inp pHEmT的LNa设计的比较
机译:基于Gaas的JFET和pHEmT技术,适用于工作频率高达2.4 GHz的超低功耗微波电路