用于太赫兹低频段GaAs基大功率肖特基倍频二极管

摘要

本发明公开了用于太赫兹低频段GaAs基大功率肖特基倍频二极管包括：40个肖特基阳极结，倍频二极管采用4行结构，每行结构为10个肖特基结，每行结构采用射频同向并联，直流反向串联；其中，所述倍频二极管采用半绝缘GaAs层衬底，所述半绝缘GaAs层上设有重掺杂GaAs层和钝化层，所述重掺杂GaAs层上设有低掺杂GaAs层和欧姆接触金属层，所述低掺杂GaAs层上有肖特基接触金属层和二氧化硅层，所述欧姆接触金属层上设有金属加厚层，所述金属加厚层与所述肖特基接触金属层通过空气桥相连，实现了倍频二极管可承受较大的功率输入且不容易损坏，应用频率较高，制作工艺与现有的工艺兼容，实用性较强，可同时应用于二次倍频和三次倍频的技术效果。