机译:在AlN / Sapphire模板上制造的(IN)基于Algan的深紫外发光二极管中的电流诱导的降解过程
机译:用于深紫外LED的AlN和高Al含量的AlGaN基MQW的二维生长控制
机译:在蓝宝石上的高质量AlN缓冲层上制造的227-261 nm AlGaN基深紫外发光二极管
机译:基于Algan的Deep-UV LED在连接柱ALN缓冲器上制造
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:控制用于深UV LED的alN和高al含量alGaN基mQW的二维生长