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基于极性反转畴的AlGaN基紫外LED制备及发光特性研究

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摘要

本工作在图形化AlN缓冲层衬底上外延生长含有极性反转畴的氮化物薄膜,同时湿法刻蚀制备出具有低界面态密度的纳米阵列结构的紫外LED.本工作分析了亚微米尺度下极性反转畴的形成机制和分布规律,探索极性反转畴对器件内部载流子传输与复合的作用原理,深入理解了缺陷态密度对于紫外LED辐射复合效率的影响机制.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||409-410|共2页
会议地点西宁
作者
郭炜; 李俊梅; Moheb Sheikhi; 高平奇; 叶继春;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
紫外发光二极管; 氮化铝镓薄膜; 纳米阵列; 湿法刻蚀; 极性反转畴; 辐射复合效率;

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