机译:一个0.506-PJ 16-KB 8T SRAM,具有垂直读字线和选择性双拆分电源线
机译:0.325 V,600 kHz,40 nm 72kb 9T亚阈值SRAM,具有对齐的升压写入字线和负写入位线写辅助
机译:具有扩展的写入/读取稳定性的差分数据感知功率上电(D $ ^ {2} $ AP)8T SRAM单元,适用于更低的VDDmin应用
机译:一个210mV 7.3MHz 8T SRAM,具有双数据感知写辅助和负读字线,可实现高单元稳定性,速度和面积效率
机译:演奏速度的个体差异与正/负偏向相关。 ERP和行为研究
机译:具有数据感知动态电源写入辅助功能的55nm 0.5V 128Kb交叉点8T sRam