MOS devices; Inductors; Frequency measurement; Phase noise; Capacitors; Noise measurement;
机译:一个宽的调谐范围,低噪声振荡器,具有188个DBC / Hz的FOM,45 nm CMOS
机译:A -192.7-DBC / HZ FOM KU-Band VCO使用DGS谐振器,具有高频带传输极在0.18-μMCMOS技术中
机译:基于低相位噪声和宽调谐范围CMOS / IPD变压器的VCO,具有−206.8 dBc / Hz的高电平
机译:具有“折叠式”共模谐振器的X波段NMOS和CMOS交叉耦合DCO在16-nm CMOS FinFet中具有188.5 dBc / Hz FoM和29.5%的调谐范围
机译:基于0.2V的三绕组变压器的DCO在16-NM FinFET CMOS中