机译:在16纳米CMOS FinFET中使用自偏置深N阱实现IoT的180mV高效81.2%开关电容倍压器
机译:180 MV 81.2%的效率开关电容电压倍增,用于10次以16-NM CMOS FinFET在16-NM CMOS FinFET中的自偏置深N-井
机译:16纳米大容量FinFET CMOS工艺中基于感测放大器的触发器设计的单事件性能
机译:具有“折叠式”共模谐振器的X波段NMOS和CMOS交叉耦合DCO在16-nm CMOS FinFet中具有188.5 dBc / Hz FoM和29.5%的调谐范围
机译:在硅CMOS中实现的基于变压器的可调匹配网络。
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:使用HD2自抑制和拉动缓解,0.85mM2在16-NM FinFET中为16-NM FINFET中的0.85mM2 51%的效率11-DBM紧凑型DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-DCO-TX