FinFETs; Silicon; Data models; Degradation; Electric breakdown; Weibull distribution; Fitting;
机译:基于物理模型来预测FinFET的性能下降,并考虑到由于热载流子注入引起的界面状态分布效应
机译:基于证据理论的降解建模和统计分析模型融合方法
机译:在30 NM闸门长度Finfets中从ft到工艺参数的统计建模
机译:FinFET退化中聚类模型的统计依据和物理证据
机译:基于纳米级FinFET的存储器单元的物理分析,建模和设计
机译:纯时间疾病聚类的多聚类检测测试:扫描统计量和广义线性模型的集成
机译:30 Nm门长度Finf中ft到工艺参数的统计建模