GaAs/Si; InP/Si; epitaxial lateral overgrowth; aspect ratio trapping; blocking dislocations;
机译:(001)取向衬底上外延生长的锌共混物和金刚石立方半导体应变膜中边缘位错形成的机理
机译:具有超级线程脱位密度在SiO_2掩盖图案的蓝宝石衬底上生长的外延GaN薄膜
机译:使用分子束外延消除图案化的Si(111)衬底上已生长的PbSe膜中的螺纹位错
机译:在无沟槽图案化Si衬底上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的位错模型
机译:通过VGF工艺生长的半导体晶体中位错生成的晶体学有限元建模。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:在图案化基板上生长的氮化物化合物半导体的微观结构性质和缺陷演化:透射电子显微镜研究