机译:(001)取向衬底上外延生长的锌共混物和金刚石立方半导体应变膜中边缘位错形成的机理
Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia;
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机译:(100)/(001)取向外延Pb(Zr_(0.35),Ti_(0.65))O_3薄膜的电学性能比较,在(100)Si和(100)SrTiO_3衬底上生长具有相同(001)域分数的薄膜
机译:Si(001)衬底上外延生长的铁磁半导体Ge_(1-x)fe_x薄膜的外延生长和磁性
机译:XRD研究在InP(001)衬底上生长的Zn-Blende型MnAs薄膜
机译:在(100)SrTiO_3衬底上生长的(100)/(001)取向外延PbTiO_3厚膜中的应变松弛畴结构的X射线分析
机译:应变非磁性锌混合半导体中的自旋传输。
机译:(004)高取向立方锌共混物ZnO薄膜的发光特性
机译:通过金属有机化学气相沉积在(100)SRTIO3基板上生长的(001)/(100)的菌株弛豫结构(001)/(100)的外延PB(Zr,Ti)O3薄膜
机译:单中心 - 立方体,体中心 - 立方体,氯化钠,金刚石和锌 - 共结构单晶的表面形貌