Resists; Lithography; Silicon germanium; Silicon; Heterojunction bipolar transistors; BiCMOS integrated circuits; Epitaxial layers;
机译:LPCVD法生长的伪晶掺硼50nm以下SiGeC层中过程诱导的氧扩散的研究
机译:通过键合Si岛(SBSI)分离先进的CMOS LSI-SBSI工艺的SiGe层的选择性刻蚀研究
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机译:0.18um SiGe BiCMOS工艺中独特的伪埋层研究
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:调整静电纺丝工艺为气道壁三层体外模型提供三种独特的环境
机译:130 nm SiGe Bicmos中的电子带活动Q-Enhanced Pseudo-Combline谐振器