机译:具有竞争力且经济高效的铜/低k互连(BEOL),用于28 nm CMOS技术
机译:采用45 nm RF CMOS技术制造的BEOL垂直自然电容器(VNCAP)的RF模型及其验证
机译:紫外线对45 nm技术节点超低k SiOC(-H)薄膜的键合结构和电性能的影响
机译:适用于45 / 40nm BEOL Low-k技术的新型CuCMP浆料评估及其他
机译:BEoL Cu / Low-k叠层的3-D断裂研究,以评估和减轻回流过程中的CPI风险。
机译:通过BEOL各向同性蚀刻获得的180nm CMOS技术中的共振MEMS压力传感器
机译:新开发的CUCMP衬垫浆料的特征,提高电气性能