Performance evaluation; Semiconductor device measurement; Fluctuations; Logic gates; FinFETs; Silicon; Low-frequency noise;
机译:FINFET技术优化后k沉积退火的低频噪声分析
机译:氢退火对CMOS FinFET中的直流和低频噪声特性的影响
机译:p通道FinFET的低频噪声特性
机译:基于164fsrms 9至18GHz采样相位检测器的PLL,具有带内噪声抑制功能和16nm FinFET强大的频率采集功能
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:p通道FinFET中的低频噪声特性