Semiconductor device modeling; MOSFET; Capacitors; Integrated circuit interconnections; Logic gates; Calibration; Parasitic capacitance;
机译:SiC MOSFET的栅极可靠性和150mm晶圆上制造的电容器
机译:4H-SiC平面MOSFET和NMOS电容器的时间分辨栅氧化应力
机译:硅栅极微结构和栅极氧化物工艺对掺氟的p / sup +/-栅极p沟道MOSFET中阈值电压不稳定性的影响
机译:硅栅微结构和栅氧化工艺对BF / sub 2 /注入的P +栅p沟道MOSFET中阈值电压不稳定性的影响
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:控制氧化铝微结构以减少钻石MOSFET中的栅极泄漏
机译:氧化物界面粗糙度对超薄栅氧化癸纳米mOsFET阈值电压波动的影响
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响