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One New Calibration Structure of Mosfet Gate Oxide Capacitor

机译:MOSFET栅极氧化物电容器的一种新校准结构

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摘要

This paper introduces a new kind of calibration structure for MOSFET gate oxide capacitance. This new calibration structure is used to remove the parasitic interconnect capacitance from the gate oxide capacitor when calculate the gate oxide capacitance. By processing measured data of gate oxide capacitance and this new capacitance calibration structure, we can get the value of gate oxide capacitance more accurately, which provides a more accurate guarantee for SPICE model and circuit design.
机译:本文介绍了用于MOSFET栅极氧化物电容的新型校准结构。当计算栅极氧化物电容时,该新校准结构用于从栅极氧化物电容器中移除寄生互连电容。通过处理栅极氧化物电容的测量数据和这种新的电容校准结构,我们可以更准确地获得栅极氧化物电容的值,这为Spice Model和电路设计提供了更准确的保证。

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