机译:Ge CMOS中浅结的激光尖峰退火
机译:45 nm CMOS节点的浅沟槽隔离以及STI应力对CMOS器件性能的几何依赖性
机译:先进的源极/漏极工程技术,用于在100 nm以下的SOI CMOS中使用激光退火和预非晶化注入形成盒形超浅结
机译:结45纳米节点高性能和低泄漏CMOS技术的新型多激光尖峰退火方案的结谱谱工程
机译:使用原位磷掺杂的选择性硅(1-x)锗(x)合金形成CMOS技术节点之间50 nm的n(+)p结。
机译:三种淋巴结分期方案对食管胃交界处Siewert II型腺癌患者的预后评估
机译:低漏电流功率45-NM CMOS SRAM