CMOS integrated circuits; hot carriers; MOSFET; semiconductor device breakdown; semiconductor device reliability;
机译:基于低K / Cu CMOS的SoC技术,具有115GHz f {sub} T,100GHz f {sub}(max),低噪声80nm RF CMOS,高Q MiM电容器和螺旋Cu电感器
机译:基于90纳米CMOS技术的CMOS晶体管66 GHz偏置等效电路模型
机译:具有低功耗毫米波数字和RF电路功能的243 GHz F {sub} t和208 GHz F {sub}(max),90 nm SOI CMOS SoC技术
机译:新型5V-EDMOS晶体管,在基准40nm CMOS技术中具有最高450 GHz的记录/最大值
机译:CMOS和硅锗HBT技术中2.4 GHz和5 GHz RFIC前端组件的设计。
机译:CMOS兼容的硅纳米线场效应晶体管生物传感器:面向商业化的技术发展
机译:用于40nm CMOS的28GHz移动通信的高效线性功率放大器