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Pervasive Modeling in InP HBT Technology Development

机译:InP HBT技术开发中的普遍建模

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摘要

With InP HBT technologies rapidly scaling into the deep submicron regime and the rise of new heterogeneously integrated technologies, the ability to model InP HBTs from device concept to device development and on through to IC production has grown significantly. This work highlights the key modeling challenges for InP HBTs and highlights the critical role modeling plays in the technology development cycle.
机译:使用INP HBT技术迅速扩大到深度亚微米制度和新的异构综合技术的兴起,从设备概念到设备开发和通过IC生产的能力将INP HBT模拟到设备开发和IC生产的能力显着。这项工作突出了INP HBT的关键建模挑战,并突出了技术开发周期中的关键角色模型扮演。

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