机译:通过快速熔体生长在绝缘体上的高质量单晶横向渐变SiGe
机译:通过快速熔体生长在绝缘体上硅晶圆上制备高Ge浓度的完全弛豫的SiGe层
机译:通过温度调制的连续快速熔化生长高质量地形成多层绝缘体上硅锗结构
机译:通过快速熔融生长形成的绝缘体高质量的单晶SiGe层
机译:基于快速熔体生长的用于三维集成电路的高性能绝缘体上锗MOSFET。
机译:优异的固有热电性能在单晶和熔融淬火的高密度Cu2-xSe体中zT为1.8
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征