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机译:镍纳米粒子对通过无电流无电蚀刻获得的多孔硅的电性能影响
Bilenko D.I.; Galushka V.V.; Mysenko I.B.; Terin D.V.;
机译:刻蚀电流密度对多孔硅(PS):n-Si异质结构的微观结构,光学和电学性质的影响
机译:刻蚀电流密度对多孔硅层形貌和Sn / PS / p-Si / Al双结电性能的影响
机译:6通过化学光伏蚀刻形成的多孔硅层的光学性质
机译:镍纳米粒子对通过无电流化学刻蚀获得的多孔硅的电性能的影响
机译:通过金属辅助化学蚀刻产生的多孔硅的材料表征,图案化和吸附物诱导的光调制。
机译:化学刻蚀法制备硅纳米线的光电特性
机译:蚀刻时间对光电化学阳极氧化对p型和n型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响
机译:通过污点蚀刻生产多孔硅颗粒的方法以及由污点蚀刻硅粉制成的硅纳米颗粒
机译:用于湿法蚀刻的组合物,能够仅对氧化硅层进行蚀刻而不会影响对氮化硅层的蚀刻
机译:影响含镍或含硅铁合金磁性能的方法
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