breakdown voltage; compound layer; silicon on insulator;
机译:Backgate对Smartpower SOI器件的通态击穿电压的影响分析
机译:横向高压SOI器件背栅效应的分析和优化
机译:在新型SOI高压器件结构中消除背栅偏置效应
机译:具有复合层的新型背栅SOI高压器件
机译:低整体对称性的氧化还原活性三价金属表面活性剂,用于基于分子的电子产品:用于m / LB单层/ m器件中电流电压测量的新型分子材料的光谱,电化学和两亲性质。
机译:双层MEH-PPV / TiO2光电器件的光电流-电压特性分析模型
机译:三维微加工SOI RF MEMS传输线和器件的金属层的电化学辅助无掩模选择性去除
机译:具有半绝缘和天然氧化物层的复合半导体器件的物理和建模。