EUV; EUV lithography; OPC; numerical aperture; optical proximity effect; illumination; HV bias; flare; resist blur; CD variation;
机译:高NA EUV光刻中的波导效应:将EUV光刻扩展到4 nm节点的关键
机译:用于光掩模和纳米压印模具的电子束光刻中曝光图案宽度与16nm半间距线间距图形的化学梯度之间的关系的理论研究
机译:使用OPC处理EUV光刻阴影失真
机译:在16个NM节点处的EUV光刻的曝光工具设置和OPC策略
机译:EUV光致抗蚀剂暴露的二次电子相互作用
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV光刻和曝光工具。
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。