Design of Novel Voltage Reference Based on Depletion Device

机译：基于耗尽器件的新型电压基准设计

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A novel voltage reference based on depletion device was developed with combination of delepted NMOS voltage reference and current reference independent to VDD. The circuit was designed with TSMC-0.25μm mixed-signal process, and simulated by Spectre. The results indicated that TC is only 33ppm/°C and PSRR can reach 62dB at 10KHz.

机译：开发了一种基于耗尽型器件的新型电压基准，结合了独立的VDD的脱敏NMOS电压基准和电流基准。该电路采用TSMC-0.25μm混合信号工艺设计，并通过Spectre进行仿真。结果表明，TC仅为33ppm /°C，PSRR在10KHz时可以达到62dB。

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来源
《International conference on electronic measurement instruments;ICEMI' 2009》|2009年|p.3784-3786|共3页
会议地点
作者
Zhang Hongnan; Zhang Zhiwei;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类仪器、仪表;
关键词
voltage reference; bandgap; depletion;

机译：参考电压;带隙;损耗;

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