OPC; inverse lithography; RET; 22nm;
机译:在22nm技术节点用MMOS批量模型中递减各种优化技术对强反转和亚阈值区域的影响
机译:PVT变化下的FinFET电路模块的延迟/功率建模和优化:观察22nm和14nm技术节点之间的趋势
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机译:22nm节点的逆vs.传统opc
机译:22nm过程节点中不同SRAM变化的调查
机译:反相微乳制备的合成锂皂石和Cu-Mn Hopcalite相关混合氧化物作为甲苯的总氧化催化剂
机译:评估45,32和22nm工艺节点Lp N-mOsFET的固有参数波动