机译:电子注量驱动,Cu催化的界面击穿机制,用于BEOL低k时间依赖性介电击穿
机译:等离子体处理期间引起的层间介电损伤的时间相关介电击穿特性
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究Cu /超低k电介质随时间变化的介电击穿的失效机理分析和工艺改进
机译:beol过程随时间变化的介电击穿加速行为的变化:主要降解机理中氢诱导的跃迁的指示
机译:加工引起的损伤对低k有机硅酸盐的导电机理和时间依赖性介电击穿的影响。
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究的Cu /超低k电介质的时间介电击穿失效机理分析及工艺改进