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【24h】

INVESTIGATION OF THERMAL NEUTRON INDUCED SOFT ERROR RATES IN COMMERCIAL SRAMS WITH 0.35 μM TO 90 NM TECHNOLOGIES

机译:热中子热中子诱导的商业SRAM诱导软误差率,0.35μm至90 nm技术

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摘要

Measurement of soft error rates (SER) of ten commercial SRAMs of 0.35 μM to 90 nm technologies have been completed at the Institut Laue-Langevin (ILL) neutron facility. Results establish the sensitivity of old and recent SRAM technologies showing the impact of 10{sup left}B concentrations in BPSG and p-type regions. 10{sup left}B results are also compared to high-energy neutron SER.
机译:在Institut Laue-Langevin(ILL)中子设施的情况下,已经完成了10个商用SRAM的软误差率(SER)的测量,为0.35μm至90纳米技术。结果建立了旧的和最近SRAM技术的敏感性,显示出10 {SUP左} B浓度在BPSG和P型区域中的影响。 10 {SUP左} B的结果也与高能中子系列相比。

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