Soft error; Single-event upset (SEU); Thermal neutrons; Cross-section; Boron; 10{sup left}B;
机译:使用散装核探针和技术节点为90 nm的SOI SRAM评估软错误率
机译:低于130nm技术节点的商用SOI和批量SRAM的软错误率比较
机译:90nm CMOS技术中导致软错误的中子和α粒子诱导的瞬态的表征
机译:用0.35驴米到90 nm技术研究商业中子中热中子引起的软错误率
机译:SRAM和三维TSV IC的可靠性:针对软错误和三维热建模的设计保护
机译:评价基于加速器的硼中子俘获治疗系统的超热中子源中子暴露引起的小鼠体内放射性的评估
机译:65nm 10T亚阈值SRAM中的中子引起的软错误和多单元不安
机译:应用反应堆测试商用sRam中子引起的扰动