Negative bias temperature instability; Interface traps; MOSFET; Spin-dependent recombination;
机译:NBTI引起的原子尺度缺陷的观察
机译:缺陷中心模型中NBTI可靠性的新观点
机译:NBTI可靠性缺陷中心模型的新视角
机译:NBTI:原子尺度缺陷的观点
机译:在存在延迟缺陷和NBTI老化的情况下验证电路时序行为。
机译:一种新机制用于无损深度分辨原子尺度测量离子照射诱导缺陷的无损深度分辨原子尺度测量的互动
机译:Ge pMOSFET的AC NBTI:能量交替缺陷对寿命预测的影响