AlGaN/GaN HEMT; MIS; current collapse; high-k;
机译:极低{V} _ {sf {{th}}}的AlGaN / GaN MIS-HEMT,具有原位预沉积等离子体氮化和LPCVD-Si3N4栅极绝缘体的磁滞和电流崩塌
机译:600V常关$ {rm SiN} _ {x} $ / AlGaN / GaN MIS-HEMT,具有大栅极摆幅和低电流塌陷
机译:AlGaN / GaN / Si中的高沟道电导率,击穿场强和低电流塌陷
机译:AIGaN / GaN MIS-HEMT的电流崩塌特性
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:通过瞬态电容测量的Algan / GaN MIS-HEMT中陷阱的定量特性
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章