机译:发行人注释:“通过室温瞬态电容测量表征AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的陷阱行为” [AIP Advances 6,6,095021(2016)]
机译:通过室温瞬态电容测量表征AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的陷阱行为
机译:利用电容深能级瞬态光谱技术在Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT中研究电子陷阱
机译:瞬态电容测量的AIGAN / GAN MIS-HEMT陷阱的定量特性
机译:跨剖面AlGaN / GaN设备中陷阱的扫描探针光谱
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:室温瞬态电容测量对alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的陷阱行为表征