avalanche photodiode; electroluminescence; defects; EBIC;
机译:击穿电场为3MVcm〜(-1)的GaN p-n二极管中雪崩电致发光的观察和讨论
机译:AlGaN多量子阱的雪崩击穿和击穿发光
机译:p- / spl pi / -n GaN二极管中的雪崩击穿和击穿发光
机译:在雪崩击穿中操作的4H-SiC APD中的缺陷发光的观察
机译:雪崩光电二极管(APD)和硅光电倍增器(SIPM)模拟前端电路的分析与设计飞行时间应用中的应用
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:低击穿电压及其p型欧姆接触的UV SAM 4H-SiC APD的研究与制备