4H-SiC中Vc缺陷的第一性原理研究

摘要

使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构,分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明:K会引入新的杂质能级,与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个Si原子对该能级的贡献相同。