Research and Fabrication of UV SAM 4H-SiC APDs with Low Breakdown Voltage and Its p-type Ohmic Contacts

摘要

紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光时域反射和空气污染超高灵敏度探测等领域，它要求探测器具有高量子效率、低暗电流、低的过剩噪声和可见盲等特性，4H-SiC雪崩光电探测器（APD）是惟一能够满足这些要求的器件。 近年来，国际上已有研究小组对4H-SiCAPDs进行制备和研究，但所设计的APD结构较为简单，一般由PN结或者PIN结构成，不能有效地解决吸收层厚度对高量子效率、快响应速率和低击穿电压之间相互限制的矛盾；而已报道的分离吸收层与倍增层（SAM）结构4H-SiCAPDs的击穿电压过大；另外，对于金属与p型4...