ion implantation; defect annealing; p~+n diodes;
机译:中子辐照对p〜+ n结4H-SiC二极管泄漏电流和表层掺杂浓度的退火效应
机译:Al〜+离子注入的4H-SiC垂直p〜+ -i-n二极管:漏电流和OCVD载流子寿命的处理依赖性
机译:双极激活的温度依赖性和10kV 4H-SiC JBS-二极管的漏电流
机译:室温退火对离子注入p〜+ n 4H-SiC二极管漏电流的影响
机译:氮化镓和氮化镓基器件的高级处理:超高温退火和注入结合。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:6H-和4H-SiC,非均匀温度效应中高温铝术后退火的比较研究