silicon carbide; 4H-SiC; 6H-SiC; reduction of micropipes; polytype transformation; crystal growth; PVT;
机译:3C,6H和4H块状SiC多型SiC量子点的制备和光致发光
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机译:高压下三种不同SiC多晶硅(3C,4H和6H)力学性能的比较研究:第一原理计算
机译:6H到4H多型转化在有效还原4H SiC晶体中微管中的应用
机译:用于高温MEMS传感器的4H和6H碳化硅晶片的脉冲激光烧蚀和微加工。
机译:三种3-甲基-1H-124-三唑-5-硫酮的晶体结构包括4-((E)-(5-溴-2-羟基亚苄基)氨基 -3-甲基的第二个多晶型物-1H-124-三唑-5(4H)-硫酮和4-氨基-3-甲基-1H-1124-三唑-5(4H)-硫酮的重新测定
机译:宽带隙半导体siC,GaN和ZnO的3C,2H,4H和6H多型的热电性质
机译:物理气相传输制备的4H和6H siC单晶(0001)面上的努氏硬度。