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A 1.8/2.4-ghz dualband cmos low noise amplifier using miller capacitance tuning

机译:使用米勒电容调整功能的1.8 / 2.4 GHz双频cmos低噪声放大器

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摘要

This paper describes an inductively source degenerated dual-band low noise amplifier (LNA) designed in a standard CMOS 0.18 µm TSMC process. The dual-band LNA can be tuned to 1.8-GHz and 2.4-GHz. The impedance matching is obtained at the required frequency bands using Miller-capacitance tuning. The designed LNA exhibits a gain of 18.2dB and 16.2dB and a noise figure of 5.0dB and 3.7dB at 1.8 and 2.4-GHz respectively. The LNA design is carried out using Mentor Graphics Eldo software.
机译:本文介绍了采用标准CMOS 0.18 µm TSMC工艺设计的电感源退化双带低噪声放大器(LNA)。双频LNA可以调谐到1.8 GHz和2.4 GHz。使用米勒电容调谐可在所需频带上获得阻抗匹配。设计的LNA在1.8 GHz和2.4 GHz时分别具有18.2dB和16.2dB的增益以及5.0dB和3.7dB的噪声系数。 LNA设计是使用Mentor Graphics Eldo软件进行的。

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