pHEMT; double recess; gate formation; field plates; plasma damage; dry etch;
机译:等离子体增强原子层沉积和磁控溅射TiN金属栅极对栅极电介质等离子体造成的损伤的比较
机译:利用等离子体形成和利用异质栅介质缩短栅电极来改善物理掺杂TFET静电行为的新方法
机译:等离子体工艺在n-MOSFET上造成等离子体氧化和氮化栅极电介质的损坏
机译:使用介电定义的栅极的PHEMT栅极形成,没有等离子体损坏
机译:使用远程等离子处理的栅极电介质和钝化层的氮化镓-电介质界面形成。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:采用液相沉积TiO2作为栅介质降低alGaas / InGaas pHEmT的亚阈值特性和闪烁噪声
机译:通过快速热/微波远程等离子体多处理形成mOs(金属氧化物半导体)栅极