PHEMT; HEMT; breakdown failure; reliabilty;
机译:通过多栅极扫描测量确定P-GaN栅极HEMT中的栅极击穿机构
机译:深入了解功率GaN HEMT的断态击穿机制
机译:带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
机译:TCAD模拟Algan / GaN Hemts过早击穿机制的研究
机译:了解高击穿电压的氮化铝镓/氮化镓HEMT的材料和工艺限制。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:通过多栅极扫描测量确定P-GaN栅极HEMT中的栅极击穿机构