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【24h】

Analysis of Fringing-Electric-Field-Related Capacitance Behavior of Narrow-Channel FD SOI NMOS Devices Using 3D Simulation

机译：使用3D仿真分析窄通道FD SOI NMOS器件与边缘电场相关的电容行为

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《2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(第八届国际固态和集成电路技术会议)论文集》|2006年|1376-1379|共4页
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