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【24h】

微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムL S Iの高速低消費電力設計法

机译:考虑精细MOSFET泄漏电流的系统LSI的高速,低功耗设计方法

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摘要

高集積化されたシステムLSIでは、微細MOSFETの充放電による消费電力の増大が問題になっている。これを解決するため高性能の汎用MPUでは並列処理が導入され、高速低消费特性を実現している。近年微細MOSFETのリーク電流が急速に増加し低消费電力化の新たな阻害要因となってきている。本研究では組込み用プロセッサをモチーフとして、システムLSIでリーク電流が流れる時に並列処理が低消費電力化に有効かどうか検討したので報告する。
机译:在高度集成的系统LSI中,由于精细MOSFET的充电和放电导致的功耗增加已经成为问题。为了解决这个问题,高性能通用MPU中引入了并行处理,以实现高速,低功耗的特性。近年来,精细MOSFET的泄漏电流迅速增加,这已成为低功耗的新障碍。在这项研究中,我们报告了使用嵌入式处理器作为主题的并行处理对于降低泄漏电流在系统LSI中的功耗是否有效。

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